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J-GLOBAL ID：201202288915432388   整理番号：12A1333455

レーザー3次元アトムプローブによる半導体材料中のドーパント分布解析

Dopant Distribution Analysis in Semiconductor Materials by Pulsed-Laser Atom Probe Tomography

著者 (3件)： 井上耕治 (京大 大学院工学研究科) ,  清水康雄 (東北大 金属材料研) ,  高見澤悠 (東北大 大学院工学研究科)
資料名： 日本物理学会誌
巻： 67  号： 9  ページ： 645-649  発行年： 2012年09月05日 
JST資料番号： F0221A  ISSN： 0029-0181  CODEN： NBGSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 3次元アトムプローブは,針状試料に高電圧を印加することで電界蒸発と呼ばれる試料先端表面原子のイオン化脱離現象を引き起こし,蒸発したイオンを一つ一つ検出することで材料中の3次元元素マッピングが可能な手法である。近年,レーザーで電界蒸発を補助する技術により,従来困難とされてきた半導体や絶縁体材料の分析が可能となった。本稿ではMOSトランジスタ等の半導体材料中の微量ドーパント分布解析への応用例を紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *原子プローブFIM ,  電界蒸発 ,  *パルスレーザ照射 ,  位置有感検出器 ,  *ドーパント ,  *不純物分布 ,  MOSFET ,  半導体材料
準シソーラス用語： *レーザ三次元アトムプローブ ,  三次元アトムプローブ

分類 (2件)： 格子欠陥の観察・実験技術  (BK12020U) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (28件)：

• KELLY, T. F. Rev. Sci. Instrum. 2007, 78, 031101
• 宝野和博. 応用物理. 2010, 79, 317
• GAULT, B. Rev. Sci. Instrum. 2006, 77, 043705
• BLAVETTE, D. Nature. 1993, 363, 432
• MILLER, M. K. Atom Probe Tomography ; Analysis at the Atomic Level. 2000

タイトルに関連する用語 (6件)： レーザー ,  3次元アトムプローブ ,  半導体材料 ,  ドーパント ,  分布 ,  解析