CAYREL F. について
Univ. Tours, Tours, FRA について
MENARD O. について
Univ. Tours, Tours, FRA について
YVON A. について
STMicroelectronics, Tours, FRA について
THIERRY-JEBALI N. について
Univ. Claude Bernard Lyon1, Lyon, FRA について
BRYLINSKY C. について
Univ. Claude Bernard Lyon1, Lyon, FRA について
COLLARD E. について
STMicroelectronics, Tours, FRA について
ALQUIER D. について
Univ. Tours, Tours, FRA について
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science について
Ohm接触 について
N型半導体 について
化合物半導体 について
窒化ガリウム について
MOCVD について
基板 について
サファイア について
ケイ素 について
ドーピング について
RTA【熱処理】 について
金属薄膜 について
スパッタ蒸着 について
チタン について
アルミニウム について
電流電圧特性 について
電子顕微鏡観察 について
透過型走査電子顕微鏡 について
半導体薄膜 について
比率 について
接触抵抗 について
実験 について
濃度依存性 について
ヘテロエピタクシー について
整流器 について
半導体金属接合 について
in situ実験 について
比接触抵抗 について
半導体薄膜 について
半導体-金属接触 について
サファイア について
シリコン について
エピタキシャル について
成長 について
高濃度 について
低濃度 について
ドープ について
Si について
注入 について
GaN について
TiAl について
Ohm接触 について