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J-GLOBAL ID：201202289969660242   整理番号：12A1093485

サファイアまたはシリコン上にエピタキシャルに成長させたin situ 高濃度または低濃度ドープまたはSi注入したGaN上でのTiAl Ohm接触

TiAl Ohmic contact on GaN, in situ high or low doped or Si implanted, epitaxially grown on sapphire or silicon

著者 (7件)： CAYREL F. (Univ. Tours, Tours, FRA) ,  MENARD O. (Univ. Tours, Tours, FRA) ,  YVON A. (STMicroelectronics, Tours, FRA) ,  THIERRY-JEBALI N. (Univ. Claude Bernard Lyon1, Lyon, FRA) ,  BRYLINSKY C. (Univ. Claude Bernard Lyon1, Lyon, FRA) ,  COLLARD E. (STMicroelectronics, Tours, FRA) ,  ALQUIER D. (Univ. Tours, Tours, FRA)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 6  ページ： 1059-1066  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子素子基板としてのGaNに関する研究の一環として,本研究では,サファイアまたはシリコン上にエピタキシャル成長させたGaNについて,TiAl Ohm接触の特性を調べた。その結果に基づいて,1)高濃度SiドープN型GaN層上で,高品質Ohm接触を得たこと,2)再現性のある比接触抵抗値1×10^-6Ωcm²を達成したこと,などを記した。

シソーラス用語： *Ohm接触 ,  N型半導体 ,  化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  MOCVD ,  基板 ,  サファイア ,  ケイ素 ,  ドーピング ,  RTA【熱処理】 ,  金属薄膜 ,  スパッタ蒸着 ,  *チタン ,  アルミニウム ,  *電流電圧特性 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  *半導体薄膜 ,  比率 ,  接触抵抗 ,  実験 ,  濃度依存性 ,  ヘテロエピタクシー ,  整流器 ,  *半導体金属接合
準シソーラス用語： in situ実験 ,  比接触抵抗

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (12件)： サファイア ,  シリコン ,  エピタキシャル ,  成長 ,  高濃度 ,  低濃度 ,  ドープ ,  Si ,  注入 ,  GaN ,  TiAl ,  Ohm接触