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J-GLOBAL ID:201202290045898038   整理番号:12A1309258

オフ角付高圧高温合成IIa基板上へのCVD単結晶ダイヤモンドの合成と電荷キャリア輸送特性の評価 2

著者 (10件):
資料名:
巻: 2012  ページ: ROMBUNNO.I36  発行年: 2012年09月03日 
JST資料番号: S0818B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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オフ角付高圧高温合成IIa型ダイヤモンド基板(001)面上にCVD単結晶ダイヤモンドを各種条件で合成し,α線をもちいた電荷キャリア輸送特性評価等を行った。メタン濃度1%の合成試料では電荷収集効率が正孔:100%,電子:98%,エネルギー分解能は正孔:0.7%,電子:1.1%,μτ積は正孔:1.0×10-4cm2/V,電子:9.6×10-6cm2/Vを得た。(著者抄録)
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分類 (1件):
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放射線検出・検出器 

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