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J-GLOBAL ID：201202290045898038   整理番号：12A1309258

オフ角付高圧高温合成IIa基板上へのCVD単結晶ダイヤモンドの合成と電荷キャリア輸送特性の評価 2

著者 (10件)： 佐竹良太 (北大 大学院) ,  宮崎大二郎 (北大 大学院) ,  金子純一 (北大 大学院) ,  藤田文行 (北大 大学院) ,  渡邊幸志 (産業技術総合研) ,  茶谷原昭義 (産業技術総合研) ,  梅沢仁 (産業技術総合研) ,  坪内信輝 (産業技術総合研) ,  鹿田真一 (産業技術総合研) ,  磯部光孝 (核融合研)
資料名： 日本原子力学会秋の大会予稿集(CD-ROM)  (日本原子力学会秋の大会(CD-ROM))
巻： 2012  ページ： ROMBUNNO.I36  発行年： 2012年09月03日 
JST資料番号： S0818B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： オフ角付高圧高温合成IIa型ダイヤモンド基板(001)面上にCVD単結晶ダイヤモンドを各種条件で合成し,α線をもちいた電荷キャリア輸送特性評価等を行った。メタン濃度1%の合成試料では電荷収集効率が正孔:100%,電子:98%,エネルギー分解能は正孔:0.7%,電子:1.1%,μτ積は正孔:1.0×10^-4cm²/V,電子:9.6×10^-6cm²/Vを得た。(著者抄録)

シソーラス用語： 角度 ,  プラズマCVD ,  *ダイヤモンド ,  *キャリア ,  エネルギー分解能 ,  特性 ,  基板 ,  単結晶ダイアモンド ,  *電荷キャリア ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： オフ角 ,  輸送特性

分類 (1件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (7件)： オフ角 ,  高圧高温 ,  CVD ,  単結晶ダイヤモンド ,  電荷キャリア ,  輸送特性 ,  評価