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J-GLOBAL ID：201202290048384019   整理番号：12A1099655

ISFETを用いた高利得νMOS化学インバーター

High gain ISFET based νMOS chemical inverter

著者 (2件)： AL-AHDAL Abdulrahman (Inst. of Biomedical Engineering, Bessemer Building, Imperial Coll. London, South Kensington Campus, London SW7 2AZ, GBR) ,  TOUMAZOU Christofer (Founding director of the Inst. of Biomedical Engineering, Bessemer Building, Imperial Coll. London, South Kensington ...)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 171-172  ページ： 110-117  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標準CMOSプロセスを使用して構築されたイオン感応性電界効果トランジスター(ISFET)の場合は,同じイオン感応膜(不動態層)を共有する複数のデバイスが可能である。フローティングゲートMOS技術を用いることにより,ISFETの相補ペア(nおよびpデバイス)は,ISFETを用いた化学スイッチを形成する同じイオン感応膜を共有することができる。FG-ISFETとニューロンMOS技術を使用して,2番目の電気入力を浮遊ゲートに容量カップリングさせることができることがこの論文で示された。このカップリングコンデンサーのサイズを適当に変えることによって,百倍以上の入力を基準にしてpH感受性を高めることができる。これにより増強された入力換算感度を持つISFETを用いたνMOS化学インバーターが形成される。この回路がシミュレートされ,作られ,テストされた。そのスイッチングしきい値電圧は基準電極に比べるとpH当たり31.26mVシフトした。第二の電気入力を基準にすると,これは3.7V/pH増加した。この値はこのような最小成分ISFET回路で,これまで報告された中でもっと も高い化学信号増幅である。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ISFET ,  *半導体 ,  *インバータ ,  *フローティングゲート ,  膜 ,  スイッチ ,  水素イオン濃度 ,  感受性 ,  回路シミュレーション ,  MOS構造 ,  *CMOS ,  pH感受性 ,  感応膜
準シソーラス用語： *ニューロンMOS

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ISFET ,  高利得 ,  MOS ,  化学 ,  インバーター