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J-GLOBAL ID：201202290643099220   整理番号：12A0159753

1060nm VCSELの高速変調動作と信頼性

High Speed and Reliability Study of 1060nm VCSEL

著者 (10件)： 鈴木理仁 (古河電気工業 横浜研 半導体研究開発セ) ,  今井英 (古河電気工業 横浜研 半導体研究開発セ) ,  神谷慎一 (古河電気工業 横浜研) ,  平岩浩二 (古河電気工業 横浜研 半導体研究開発セ) ,  舟橋政樹 (古河電気工業 横浜研 半導体研究開発セ) ,  川北泰雅 (古河電気工業 横浜研 半導体研究開発セ) ,  喜瀬智文 (古河電気工業 横浜研 半導体研究開発セ) ,  中村照幸 (古河電気工業 横浜研 半導体研究開発セ) ,  清水均 (古河電気工業 横浜研 半導体研究開発セ) ,  粕川秋彦 (古河電気工業 横浜研 半導体研究開発セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 111  号： 359(LQE2011 123-134)  ページ： 11-15  発行年： 2011年12月09日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 我々が開発を行っている1060nm VCSELは,ダブルイントラキャビティ構造とInGaAs/GaAs歪量子井戸を採用することで,光インターコネクションの光源として求められる,低消費電力,高速動作,高信頼性を同時に実現することに成功した。ビットレート当りの電力損失は0.14mW/Gbps(140fJ/bit)を記録し,偶発故障率30FIT/ch,磨耗故障の寿命は300年と極めて高い信頼性を有することを実証した。変調特性についても,通電試験における閾値の変化に着目し,長期安定した動作を確認した。また20Gbps以上の高速動作のため,酸化層膜厚による信頼性への影響を評価し,信頼性を確保した高速化の可能性を見出した。(著者抄録)

シソーラス用語： *垂直共振器形面発光レーザ ,  *高速度 ,  *光変調 ,  *信頼性 ,  *相互接続 ,  *消費電力 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ヒ化ガリウム ,  *歪層量子井戸 ,  伝送速度 ,  電気損失 ,  偶発故障 ,  故障率 ,  摩耗故障 ,  酸化膜 ,  膜厚 ,  静特性 ,  アイパターン ,  漂遊容量 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： VCSEL ,  光インターコネクション ,  ビットレート ,  電力損失

分類 (2件)： 光変調器  (BD06020W) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (2件)： VCSEL ,  変調