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J-GLOBAL ID:201202291121033536   整理番号:12A0539670

TTFCOO-NH4+中のプロトン欠陥誘起キャリアドーピング : 溶剤によるドーピングレベルの調節

Protonic defect induced carrier doping in TTFCOO-NH4 +: Tunable doping level by solvent
著者 (4件):
資料名:
巻: 162  号: 5-6  ページ: 531-535  発行年: 2012年04月 
JST資料番号: C0123B  ISSN: 0379-6779  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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TTFCOO-NH4+のドーピングキャリアの起源を,初めてX線光電子分光法(XPS)を用いて塩橋におけるプロトン欠陥を含むことを確認した。TTFCOO-NH4+のスピン出現を,塩結晶化に適した溶媒選択により,非常に広い範囲(9~33%)で調整可能であった。溶媒依存性の塩のスピン濃度は,近赤外領域の光吸収強度,g-テンソルの値,および室温下の直流伝導度と弱く相関した。塩のドーピングレベルを決定する溶剤を,塩におけるプロトン欠陥の包摂を制御する可能性がある溶媒の自己解離能力(pKSH)によって3つのカテゴリに分類した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
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半導体と絶縁体の電気伝導一般  ,  電子スピン共鳴一般  ,  酸塩基平衡 
物質索引 (6件):
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