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J-GLOBAL ID：201202291236054669   整理番号：12A1053115

抵抗分散,ゆらぎ,フィラメント構造およびセット/リセット機構に対する抵抗メモリの電子伝導モデル

An electron conduction model of resistive memory for resistance dispersion, fluctuation, filament structures, and Set/Reset mechanism

著者 (1件)： SASAKI Masayoshi (Semiconductor Technol. Dev. Group, Advanced Technol. Platform, SONY Co., Atsugi, Kanagawa 243-0014, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 1  ページ： 014501-014501-8  発行年： 2012年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性抵抗メモリにおける電子伝導モデルについて報告する。モデルは,絶縁体中で局在化した電子状態と金属イオン間のホッピングによる電荷輸送に基づいている。ホッピングに対する二準位電子エネルギーの概念を導入した。これは,セル抵抗の分散,分布テール,ゆらぎ,および,ランダムテレグラフ信号ノイズを同時にを説明する初めてのモデルである。これらの特性のすべてを,確率過程の電子ホッピングの単純な式によって記述されるホッピングのランダムな組み合わせによって表した。抵抗分散を生じる主要なパラメータは,イオン間距離とホッピングのエネルギーギャップである。セルの電流ゆらぎは,ホッピング確率の変動に由来する。伝導フィラメントの構造を,伝導モデルとの関連から論じた。安定な低抵抗状態に対する伝導フィラメントの直径の最小サイズを約4nmと見積もった。セット/リセットの主要な駆動力をイオンドリフトに起因させたセット/リセットモデルを提案した。セットプロセスは,絶縁体の閾値スイッチングにより開始される。閾値スイッチングによって増加した電極付近の電場は,電流経路に沿ったイオン流を駆動する。リセットプロセスに適用したドリフト拡散モデルから,リセットプロセスの主要な駆動力もまたJoule加熱による拡散というよりもイオンドリフトであることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： フィラメント ,  *記憶素子 ,  *電気伝導 ,  不揮発性メモリ ,  ホッピング伝導 ,  *モデリング ,  確率過程 ,  エネルギーギャップ ,  電流変動 ,  ドリフト
準シソーラス用語： 導電フィラメント ,  *抵抗メモリ ,  電子伝導 ,  電荷輸送 ,  *モデル化 ,  電流ゆらぎ ,  イオンドリフト

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゆらぎ ,  フィラメント構造 ,  リセット ,  抵抗メモリ ,  電子伝導 ,  モデル