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J-GLOBAL ID：201202291262571833   整理番号：12A0345246

p型シリコンウエハにおける寿命測定のための表面不動態化法の詳細な研究

Detailed Investigation of Surface Passivation Methods for Lifetime Measurements on P-Type Silicon Wafers

著者 (4件)： POLLOCK Kevin L. (Univ. Konstanz, Konstanz, DEU) ,  POLLOCK Kevin L. (Univ. California, CA, USA) ,  JUNGE Johannes (Univ. Konstanz, Konstanz, DEU) ,  HAHN Giso (Univ. Konstanz, Konstanz, DEU)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 2  号： 1  ページ： 1-6  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンウエハの意味のあるバルク寿命測定を行うためには,ウエハ表面のダングリングボンドの不動態化が必要である。本研究では,5種の通常の表面不動態化法のバルク寿命測定値に及ぼす影響を比較検討した。5種の方法は,Al₂O₃」,SiN_x,または非晶質シリコン(a-Si)堆積を使う誘電体不動態化,それにヨウ素-エタノール(IE)またはキンヒドロン-メタノール(QM)化学処理を使う不動態化である。評価用ウエハには,Czochralski(Cz)とフロートゾーン(FZ)の単結晶p型ウエハ,および多結晶と特にEFG(Edge-defined film-fed)成長のp型シリコンウエハとを使用した。各々の不動態化法は,不動態化安定性,表面不動態化品質,欠陥分布への影響において,それぞれ異なる効果を示した。各不動態化法の長所と短所をまとめた。一例を挙げると,Al₂O₃不動態化は高寿命測定値を与えるが,表面不動態化の劣化が数時間および数日で起こることが観測された。

シソーラス用語： *不動態化 ,  液相成長 ,  Czochralski法 ,  浮遊融解 ,  *ウエハ【IC】 ,  P型半導体 ,  *キャリア寿命 ,  寿命評価 ,  ダングリングボンド ,  キャリア捕獲 ,  酸化アルミニウム ,  窒化ケイ素 ,  アモルファスシリコン ,  化学蒸着 ,  キノン ,  脂環式化合物 ,  ジエン ,  多価フェノール
準シソーラス用語： EFG法 ,  *シリコンウエハ ,  原子層蒸着

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

物質索引 (1件)： キンヒドロン

タイトルに関連する用語 (5件)： p型シリコン ,  ウエハ ,  寿命測定 ,  表面不動態化 ,  研究