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J-GLOBAL ID：201202291333923817   整理番号：12A0895212

N⁺型およびP⁺型シリコン基板上の金属-酸化膜-半導体構造における光電子収率と電子脱出深さの決定

Photoemission yield and the electron escape depth determination in metal-oxide-semiconductor structures on N⁺-type and P⁺-type silicon substrates

著者 (3件)： PRZEWLOCKI H. M. (Inst. of Electron Technol., Al. Lotnikow 32/46, PL 02-668 Warsaw, POL) ,  BRZEZINSKA D. (Inst. of Electron Technol., Al. Lotnikow 32/46, PL 02-668 Warsaw, POL) ,  ENGSTROM O. (Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., SE-412 96 Goeteborg, SWE)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 11  ページ： 114510-114510-8  発行年： 2012年06月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,MOS構造のN⁺型およびP⁺型基板からの電子光電子収率を定量分析する。この分析に基づいて,半導体基板からの鏡像力ポテンシャル井戸中の電子の散乱長(l)と光電子脱出深さ(x_esc)との両方を推定する方法を提示する。この方法は,Al-SiO₂-Si(N⁺型およびP⁺)構造の基板からの散乱長と脱出深さを推定するために使用した。N⁺型基板構造の場合,鏡像力ポテンシャル井戸中での散乱が主として光電子収率に影響を及ぼすが,他方,P⁺型基板の場合,鏡像力ポテンシャル井戸中での散乱と光エミッタの表面下領域からの光電子放出の両方が重要な役割を持つことが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOS構造 ,  散乱長 ,  脱出 ,  光学的厚さ ,  鏡像力 ,  井戸型ポテンシャル ,  *ウエハ【IC】 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  鏡像ポテンシャル ,  *光電子放出 ,  *収率 ,  基板
準シソーラス用語： 光学的深さ

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  光電子放出  (BM09030D)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン基板 ,  酸化膜 ,  光電子 ,  収率 ,  電子