文献
J-GLOBAL ID:201202291473858055   整理番号:12A1147124

鉄系超伝導体の薄膜・デバイス

著者 (3件):
資料名:
号: 134  ページ: 7-10  発行年: 2012年07月25日 
JST資料番号: L0896A  CODEN: FSNEFR  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
Coの添加された鉄系超伝導体,BaFe2As2:Co,の薄膜化とデバイスへの応用について報告する。パルスレーザー堆積法(PLD)によって,BaFe2As2:Co薄膜を作製した。中でも,PLDターゲットの高純度化と励起レーザとしてNd:YAGレーザの第二高調波の利用が特徴である。その結果,高品質で,均一性の優れた薄膜が得られるようになり,4Kにおける臨界電流密度も4MA/cm2に達することが分かった。また,傾角粒界接合を利用したJosephson接合やSQUIDを作製して,その特性を評価した。この種の素子では,粒界がそれぞれの素子の特性を大きく支配することが分かった。更に,薄膜線材を試作し,臨界電流に対する粒界の効果を解明した。今後は臨界磁場を高めるために,意図的に磁束のピン止め中心を導入することが課題である。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
その他の超伝導体の物性  ,  Josephson接合・素子 
引用文献 (20件):
  • [1] Y. Kamihara et al. J. Am. Chem. Soc. 130(2008)3296.
  • [2]細野ら:日本物理学会誌64(2009)807.
  • [3]前田ら:固体物理46(2011)453.
  • [4] H. Hiramatsu et al. J. Phys. Soc. Jpn. 81(2012)011011.
  • [5] K. Tanabe and H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys. 51(2012)010005.
もっと見る
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る