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J-GLOBAL ID：201202291723631086   整理番号：12A1215589

光阻害超解像(PINSR)リソグラフィー用の材料開発

Materials development for PhotoINhibited SuperResolution (PINSR) lithography

著者 (3件)： FORMAN Darren L. (Univ. Colorado at Boulder, USA) ,  HEUVELMAN Gerrit L. (Heidelberg Instruments, DEU) ,  MCLEOD Robert R. (Univ. Colorado at Boulder, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8249  ページ： 824904.1-824904.9  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ラジカル開始ラジカル阻害超解像リソグラフィー用材料の進歩に関して報告した。スピン可能フォトレジストとして使用する新材料の開発に向けたレジストに対する要求を検討した。FTIR実験の結果から,粘度とモノマーのタイプがレジスト性能に及ぼす影響が示された。新規なフォトレジストに関する集束ビーム光阻害実験を提示した。すでに証明されている光阻害化学によって,樹脂とレジストはメタクリレートモノマーに限定されるが,このカテゴリーは幅広く,将来の樹脂の形成に関して幅広いフレキシビリティを備えている。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  超解像 ,  *フォトレジスト ,  阻害 ,  光照射 ,  スピンコーティング ,  粘度 ,  カルボン酸エステル ,  開発
準シソーラス用語： メタクリラート ,  材料開発

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 光阻害 ,  超解像 ,  リソグラフィー ,  開発