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J-GLOBAL ID：201202291784390626   整理番号：12A1690568

増感,活性化,および無電解めっき(EP)法を使用して処理したPd/AlGaN/GaNトランジスタの特性

Characteristics of a Pd/AlGaN/GaN Transistor Processed Using the Sensitization, Activation, and Electroless Plating (EP) Approaches

著者 (8件)： HUANG Chien-Chang (National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHEN Huey-Ing (National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHEN Tai-You (National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN) ,  HSU Chi-Shiang (National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHEN Chun-Chia (National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHOU Po-Cheng (National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LIOU Jian-Kai (National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LIU Wen-Chau (National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 11  ページ： D637-D641  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 増感,活性化,および無電解めっき(EP)法によって処理したPd/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の特性について調べた。追加の増感および活性化処理によって,基板表面上の緻密なおよび均一なPdシードが達成された。したがって,調べたデバイスは温度の300から600Kへの上昇に伴うV_on(-0.55mV/K)およびI_G(0.57nA/K)の低温度変化速度,およびg_m.max(42.9%)およびI_DS,max(41.8%)のより低温度劣化速度を含む向上した熱安定性を示した。さらに,低温EP析出法を使用して,少ない熱損傷および調べたデバイスの表面状態が達成された。調べたEPをベースとするHEMTは高性能電子デバイスおよび水素ガスセンサへの応用に向け有望であることが示された。

シソーラス用語： *パラジウム ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  特性 ,  増感 ,  活性化 ,  無電解めっき ,  基板 ,  表面 ,  緻密化 ,  均一性 ,  下層 ,  半導体素子 ,  温度依存性 ,  電圧 ,  電流 ,  相互コンダクタンス ,  劣化 ,  速度 ,  熱安定性 ,  表面準位 ,  析出 ,  熱損失 ,  固体素子 ,  水素 ,  ガスセンサ ,  低温 ,  損傷
準シソーラス用語： ゲート電流 ,  シード層 ,  ターンオン電圧 ,  ドレイン電流 ,  高性能 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  低温劣化 ,  電子デバイス ,  劣化速度

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  無電解めっき  (WC08024S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 増感 ,  活性化 ,  無電解めっき ,  法 ,  Pd ,  AlGaN ,  GaN ,  トランジスタ