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J-GLOBAL ID：201202291807369883   整理番号：12A1584740

三次元集積のための損傷の無いウェット-化学シリコンウエハシンニングプロセスの開発

Development of Damage-less Wet-Chemical Silicon-Wafer Thinning Process for Three-Dimensional Integration

著者 (4件)： WATANABE Naoya (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MIYAZAKI Takumi (PRE-TECH AT Co., Ltd., Kumamoto, JPN) ,  AOYAGI Masahiro (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YOSHIKAWA Kazuhiro (PRE-TECH AT Co., Ltd., Kumamoto, JPN)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 62nd Vol.3  ページ： 1746-1751  発行年： 2012年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三次元集積回路(3D IC)の製作プロセスにおいては,ウエハシンニングプロセスが大きな課題である。一般的なウエハシンニングプロセスは機械的な裏面研削であるが,プロセス後に損傷層が形成されるため,さらに応力緩和処理が必要である。本稿では,HF/HNO₃溶液を使ったウェット化学シリコンウエハシンニングプロセスを提案し,損傷の有無を調べた。断面透過型電子顕微鏡(TEM)観察,エッチ表面の電子エネルギー損失分光法(EELS)解析を行い評価した。その結果,損傷が無いことが分かった。さらに,CMOSウエハを使ってMOSFET特性に与える影響を調べたが,50μmまで薄くしてもほとんど影響が無いことが分かった。

シソーラス用語： *集積回路 ,  三次元 ,  ウエハ【IC】 ,  *研磨 ,  欠陥 ,  *エッチング ,  湿式法 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  MOSFET ,  CMOS構造 ,  *ウェットエッチング
準シソーラス用語： *シンニング ,  *三次元集積回路

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  混成集積回路  (NC03163K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 三次元集積 ,  損傷 ,  化学 ,  開発