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J-GLOBAL ID：201202291886509580   整理番号：12A0366156

二状態ナノメモリ素子についてのパラメータを設計

Design parameters for a two-state nanomemory device

著者 (2件)： LEE Richard K.F. (Univ. Adelaide, SA, AUS) ,  HILL James M. (Univ. Adelaide, SA, AUS)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 700  ページ： 85-88  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： メモリ素子 ,  パラメータ ,  設計