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J-GLOBAL ID：201202292147346725   整理番号：12A1712065

p型ホイスラー化合物:MgO(100)上にエピタキシャル成長させたNiYBi薄膜の成長,構造,および特性

A p-type Heusler compound: Growth, structure, and properties of epitaxial thin NiYBi films on MgO(100)

著者 (10件)： SHAN Rong (Inst. fuer Anorganische und Analytische Chemie, Johannes Gutenberg - Universitaet, 55099 Mainz, DEU) ,  OUARDI Siham (Max Planck Inst. for Chemical Physics of Solids, 01187 Dresden, DEU) ,  FECHER Gerhard H. (Max Planck Inst. for Chemical Physics of Solids, 01187 Dresden, DEU) ,  GAO Li (IBM Almaden Res. Center, San Jose, California 95120, USA) ,  KELLOCK Andrew (IBM Almaden Res. Center, San Jose, California 95120, USA) ,  GLOSKOVSKII Andrei (Inst. fuer Anorganische und Analytische Chemie, Johannes Gutenberg - Universitaet, 55099 Mainz, DEU) ,  VIOLBARBOSA Carlos E. (Max Planck Inst. for Chemical Physics of Solids, 01187 Dresden, DEU) ,  IKENAGA Eiji (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst. (JASRI), SPring-8, Hyogo 679-5198, JPN) ,  FELSER Claudia (Max Planck Inst. for Chemical Physics of Solids, 01187 Dresden, DEU) ,  PARKIN Stuart S. P. (IBM Almaden Res. Center, San Jose, California 95120, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 21  ページ： 212102-212102-4  発行年： 2012年11月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マグネトロンスパッタ法によって,MgO(100)基板上にエピタキシャル半導体NiYBi薄膜を直接成長させた。(200)および(400)回折ピークの強度比,I(200)/I(400)=2.93,は,理論値の3.03に非常に近いことが分かった。NiYBiの電子構造をWIEN2kを用いて算出し,幅が210meVの狭い間接遷移型バンドギャップが見い出された。硬X線光電子分光法における線二色性によって得られた薄膜の価電子帯スペクトルは,NiYBiに関するバンド構造の計算結果とよく一致する明瞭な構造を示すことが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  基板 ,  酸化マグネシウム ,  *半導体薄膜 ,  *バンドギャップ ,  化合物半導体 ,  *ホイスラー合金 ,  *ヘテロエピタクシー ,  *ニッケル化合物 ,  イットリウム化合物 ,  ビスマス化合物 ,  結晶方位 ,  硬X線 ,  X線光電子スペクトル ,  *価電子バンド

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ホイスラー化合物 ,  MgO ,  エピタキシャル成長 ,  薄膜 ,  成長