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J-GLOBAL ID：201202292252789012   整理番号：12A1009960

Biドナー不純物を多量にドープしたn-ZrNiSn金属間化合物半導体の電気伝導率の特徴

Features of conductivity of the intermetallic semiconductor n-ZrNiSn heavily doped with a Bi donor impurity

著者 (7件)： ROMAKA V. A. (National Acad. of Sciences of Ukraine, Pidstrygach Inst. for Applied Problems of Mechanics and Mathematics, 79060 ...) ,  ROMAKA V. A. (National Univ. Lvivska Politekhnika, 79013, Lviv, UKR) ,  ROGL P. (Universitaet Wien, Inst. fuer Physikalische Chemie, A-1090, Wien, AUT) ,  STADNYK Yu. V. (Ivan Franko National Univ. of Lviv, 79005, Lviv, UKR) ,  HLIL E. K. (CNRS, Lab. de Neel, BP 166, 38042, Grenoble, FRA) ,  ROMAKA V. V. (National Univ. Lvivska Politekhnika, 79013, Lviv, UKR) ,  HORYN A. M. (Ivan Franko National Univ. of Lviv, 79005, Lviv, UKR)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 46  号： 7  ページ： 887-893  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Biドナー不純物を多量にドープしたn-ZrNiSn金属間化合物半導体の結晶構造,電子状態密度分布およびエネルギー,動力学と磁気的性質を温度範囲T=80~400K,N_D^Bi≒9.5×10¹⁹cm^-3(x=0.005)~1.9×10²¹cm^-3(x=0.10)およびH≦0.5Tで調べた。このようなドーピングにより結晶中にドナー的な構造欠陥が二種類生成することを確認したが,それらはZrNiSn_1-xBi_x(x=0.005)の単位胞パラメータa(x)の変化と抵抗率の温度依存性ln(ρ)(1/T)に現れた。ZrNiSn_1-xBi_xは新しい熱電材料として有望で,それはn-ZrNiSnよりも効率的に熱エネルギーを電気エネルギーに変換する。多量にドープし強く補償した半導体のShklovski-Efrosモデルの枠内で結果を議論した。Copyright 2012 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *不純物 ,  *ビスマス ,  ジルコニウム含有合金 ,  ニッケル含有合金 ,  *スズ合金 ,  *金属間化合物 ,  半導体 ,  結晶構造 ,  状態密度 ,  *ドナー ,  *格子欠陥 ,  電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  ドーピング ,  磁気的性質 ,  熱電材料 ,  *電気伝導率
準シソーラス用語： 構造欠陥

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (6件)： Bi ,  ドナー ,  不純物 ,  ドープ ,  金属間化合物半導体 ,  電気伝導率