文献
J-GLOBAL ID:201202292397083908   整理番号:12A0832740

全周ゲートナノワイヤ金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの移動度の遮蔽遠隔Coulomb散乱を含む計算に関するKubo-Greenwood法-実験との比較

Kubo-Greenwood approach for the calculation of mobility in gate-all-around nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistors including screened remote Coulomb scattering-Comparison with experiment
著者 (6件):
資料名:
巻: 111  号: 10  ページ: 103710-103710-9  発行年: 2012年05月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
この論文では,ナノワイヤ金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の電子移動度の理論について述べる。数値的方法は,円筒ゲートナノワイヤについてのKubo-Greenwood公式とSchroedingerおよびPoisson方程式の自己無撞着解から成る。フォノンと表面粗さによる散乱は文献に従って処理した。とりわけ,この論文では高k/金属ゲートスタックを用いたナノワイヤMOSFETに焦点を置いた。この配置はできるだけ実験研究に近いように選んだ。遠隔Coulomb散乱とよぶ酸化物における捕獲電荷の影響はKubo-Greenwood法に従い,また遮蔽効果を取り入れてモデル化した。実験との比較は20nmの直径をもつ単一円筒ナノワイヤについて行った。直径依存性に注目し,10nm以下の直径ではシリコン厚みが移動度に大きな影響を与えることを示した。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
金属-絶縁体-半導体構造  ,  トランジスタ 

前のページに戻る