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J-GLOBAL ID：201202292553135565   整理番号：12A0819410

事前に非結晶化した極浅層接合中のリンと炭素の共拡散

Codiffusion of Phosphorus and Carbon in Preamorphized Ultrashallow Junctions

著者 (4件)： LING Y. T. (Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN) ,  HUANG M. J. (Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN) ,  CHANG R. D. (Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN) ,  PELAZ L. (Univ. Valladolid, Valladolid, ESP)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 15  号： 6  ページ： H202-H204  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 事前に非結晶化したシリコン中のリンと炭素の共拡散を検討した。炭素の促進したテイル拡散を,1x10¹⁵cm^-2の炭素注入量でリンをドープした試料で観察し,リン拡散は格子間の過飽和を惹起し,それにより,炭素のキックアウト機構を促進することが分かった。しかし,炭素注入量が5x10¹⁵cm^-2に増大すると,格子間の過飽和を抑制し,リン拡散プロファイルがボックス形状となった。

シソーラス用語： *リン ,  ドーピング ,  *炭素 ,  *拡散 ,  イオン注入 ,  結晶格子 ,  過飽和 ,  格子欠陥 ,  RTA【熱処理】 ,  過渡応答 ,  促進 ,  固相 ,  エピタクシー ,  結晶成長 ,  *二次イオン質量分析 ,  透過型電子顕微鏡 ,  輪郭
準シソーラス用語： *SIMS【質量分析】 ,  エピタキシャル成長 ,  プロファイル【輪郭】 ,  過渡的特性 ,  急速熱アニーリング ,  再成長

分類 (3件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 非結晶 ,  リン ,  炭素 ,  拡散