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J-GLOBAL ID：201202292626053511   整理番号：12A1763853

γ面サファイヤ基板上にパルスレーザ堆積によって成長したα面ZnO/Zn_0.9Mg_0.1O多重量子井戸の構造および光学特性

Structure and optical properties of a-plane ZnO/Zn_0.9Mg_0.1O multiple quantum wells grown on r-plane sapphire substrates by pulsed laser deposition

著者 (8件)： LI Y. (State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  PAN X. H. (State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  ZHANG Y. Z. (State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  HE H. P. (State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  JIANG J. (State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  HUANG J. Y. (State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  YE C. L. (State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  YE Z. Z. (State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 10  ページ： 103519-103519-4  発行年： 2012年11月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 井戸幅を2.2~5.6nmに変えた一連の10周期ZnO/Zn_0.9Mg_0.1O多重量子井戸(MQW)をγ面サファイヤ基板上にパルスレーザ堆積によって成長した。明確な界面を有する良い周期構造を透過型電子顕微鏡法により観察した。α面ZnO/Zn_0.9Mg_0.1O MQWでは,低温での局所励起子発光が支配的であった。一方,自由励起子(FE)遷移は100K以上の温度で支配的であった。励起子発光の温度消光を解析した。二つの非放射再結合チャネルを仮定した速度方程式を観察した遷移の消光を記述するために使用した。さらに,MQW内のFE発光エネルギーは井戸幅が減少するにつれて規則正しいブルーシフト示した。そのことは量子閉じ込め効果と一致する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *多重量子井戸 ,  *構造特性 ,  *光学的性質 ,  サファイア ,  レーザ蒸着 ,  電子顕微鏡観察 ,  周期構造 ,  *光ルミネセンス ,  *励起子 ,  消光 ,  再結合 ,  レート方程式 ,  量子井戸 ,  青方偏移 ,  量子閉込め ,  化合物半導体 ,  *マグネシウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化物 ,  基板 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： パルスレーザ堆積 ,  温度消光 ,  自由励起子 ,  透過型電子顕微鏡法 ,  非放射再結合 ,  量子井戸幅 ,  励起子発光 ,  *酸化亜鉛マグネシウム

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイヤ基板 ,  パルスレーザ堆積 ,  成長 ,  ZnO ,  多重量子井戸 ,  光学特性