文献

J-GLOBAL ID：201202292774302040   整理番号：12A1589287

三次元配線におけるTSVマイクロバンプ結合の電磁気的信頼性に対する金属間化合物形成の影響

Effect of Intermetallic Formation on Electromigration Reliability of TSV-Microbump Joints in 3D Interconnect

著者 (10件)： WANG Yiwei (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  CHAE Seung-Hyun (Texas Instruments Inc., TX, USA) ,  DUNNE Rajiv (Texas Instruments Inc., TX, USA) ,  TAKAHASHI Yoshimi (Texas Instruments Inc., TX, USA) ,  MAWATARI Kazuaki (Texas Instruments Inc., TX, USA) ,  STEINMANN Philipp (Texas Instruments Inc., TX, USA) ,  BONIFIELD Tom (Texas Instruments Inc., TX, USA) ,  JIANG Tengfei (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  IM Jay (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  HO Paul S. (Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 62nd Vol.1  ページ： 319-325  発行年： 2012年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロバンピングは,三次元集積におけるキー技術の一つである。この技術は,TSVと共に,三次元集積回路におけるスタックチップ間を電気的に接続する。本稿では,三次元配線におけるTSVマイクロバンプ結合のエレクトロマイグレーション(EM)信頼性を調査した。EMテスティングの間のTSVマイクロバンプ結合におけるEM関連故障は識別されなかった。これは,アセンブリあるいは熱アニーリング後金属間化合物(MIC)へのマイクロバンプの完全変換によるものである。IMCバンプのEM性能は,Snベースはんだ接合より良好であった。EMは,本稿で調査した三つの型の構造にてIMC成長は大きく強化されなかった。EM信頼性に加えて,結合部の熱機械的信頼性に対する界面反応およびIMC形成の影響の綜合的理解のために,一層の研究が必要である。

シソーラス用語： 三次元 ,  *金属間化合物 ,  *バイアホール ,  配線 ,  バンプ ,  *信頼性 ,  エレクトロマイグレーション ,  集積回路 ,  熱処理 ,  組立 ,  半導体チップ ,  はんだ付 ,  不均一系反応 ,  性質
準シソーラス用語： TSV【配線】 ,  アセンブリ ,  マイクロバンプ ,  界面反応 ,  電磁気的性質 ,  熱アニーリング

分類 (1件)： プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (5件)： TSV ,  マイクロバンプ ,  電磁気 ,  信頼 ,  金属間化合物