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J-GLOBAL ID：201202292962433632   整理番号：12A0269276

エピタキシャル成長させた熱電酸化物薄膜における分光偏光解析法によって決定した輸送特性のモデル化

Modeling the transport properties of epitaxially grown thermoelectric oxide thin films using spectroscopic ellipsometry

著者 (4件)： SARATH KUMAR S. R. (Materials Sci. and Engineering, King Abdullah Univ. of Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  ABUTAHA Anas I. (Materials Sci. and Engineering, King Abdullah Univ. of Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  HEDHILI M. N. (Imaging and Characterization Lab., King Abdullah Univ. of Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  ALSHAREEF H. N. (Materials Sci. and Engineering, King Abdullah Univ. of Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 5  ページ： 052110  発行年： 2012年01月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャル成長させた熱電材料,(Sr,La)TiO₃薄膜,の輸送特性に対する酸素空格子点の影響を,電気的測定と分光偏光解析法(SE)によって解明した。ArおよびAr/H₂雰囲気中における成長後アニーリングによって,酸素空格子点の濃度を制御した。全ての薄膜は縮退半導体の特徴を持ち,酸素の含有量が増すと電気伝導度は減少する(258~133Scm^-1)ことが分かった。Seebeck係数も同じように減少することが判明したが,これはSEによって決定された有効質量の減少(7.8~3.2m_e)に起因することが分かった。SEから導出した輸送特性と電気的測定から直接導出した輸送特性が非常に良く一致することは,SEが酸化物薄膜の熱電材料を研究するのに適した有効な方法であることを示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *チタン酸塩 ,  ストロンチウム化合物 ,  ランタン化合物 ,  レーザ蒸着 ,  エピタクシー ,  酸素 ,  *空格子点 ,  *熱電材料 ,  偏光解析法 ,  焼なまし ,  強誘電半導体 ,  化合物半導体 ,  濃度依存性 ,  *電気伝導率 ,  輸送係数 ,  有効質量 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  縮退半導体 ,  分光偏光解析法

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル成長 ,  酸化物薄膜 ,  分光偏光解析法 ,  輸送特性 ,  モデル化