文献

J-GLOBAL ID：201202293227703266   整理番号：12A0385850

窒素ソースとしてアンモニアを用いた均一組成のGaN格子に整合したInAlNの分子線エピタキシー

Molecular beam epitaxy of InAlN lattice-matched to GaN with homogeneous composition using ammonia as nitrogen source

著者 (6件)： HOI WONG Man (Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...) ,  WU Feng (Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...) ,  HURNI Christophe A. (Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...) ,  CHOI Soojeong (Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...) ,  SPECK James S. (Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...) ,  MISHRA Umesh K. (Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 7  ページ： 072107  発行年： 2012年02月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNに格子整合したInAlNを,アンモニアを窒素ソースとして用いた分子線エピタキシー(MBE)によって成長させた。合金組成,成長条件及び,InAlNの歪コヒーレンスは,高分解能X線回折ω-2θスキャン及逆転スペースマップによって証明された。InAlNの走査型透過電子顕微鏡観察,及びエネルギー分散X線分光法は,プラズマ促進MBEによって成長させた薄膜における横組成変調がないことを明らかにした。製作された滑らかな表面のInAlN/AlN/GaN高電子移動度トランジスタは,1600cm²/Vsを越える電子移動度及び244Ω/sq未満のシート抵抗を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  *窒化物 ,  *アンモニア ,  X線回折 ,  *HEMT ,  キャリア移動度 ,  シート抵抗 ,  *MBE成長 ,  素子構造 ,  窒化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  多層膜 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  エネルギー分散X線分光分析
準シソーラス用語： 窒化アルミニウムインジウム ,  電子移動度 ,  ヘテロ構造 ,  走査型透過電子顕微鏡観察

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 窒素 ,  ソース ,  アンモニア ,  組成 ,  GaN ,  格子 ,  整合 ,  InAlN ,  分子線エピタキシー