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J-GLOBAL ID：201202293658252296   整理番号：12A1579009

不揮発性メモリ用ケイ化ニッケルナノ結晶の急速熱酸素アニーリング形成

Rapid thermal oxygen annealing formation of nickel silicide nanocrystals for nonvolatile memory

著者 (4件)： ZHOU Huimei (Univ. of California, Dep. of Electrical Engineering, 92521, Riverside, CA, USA) ,  LI Zonglin (Univ. of California, Dep. of Electrical Engineering, 92521, Riverside, CA, USA) ,  ZHENG Jian-Guo (Univ. of California, Lab. for Electron and X-ray Instrumentation, California Inst. for Telecommunications and ...) ,  LIU Jianlin (Univ. of California, Dep. of Electrical Engineering, 92521, Riverside, CA, USA)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 109  号： 3  ページ： 535-538  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂トンネル層上の極薄Si/Ni/Si膜の急速熱酸素アニーリングにより離散NiSiナノ結晶を合成した。それらは金属-酸化物-半導体キャパシタメモリを作製するために用いられた。プログラミング,消去および保持などのメモリ素子の電気特性を評価し,良好な性能が達成された。Copyright 2012 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *ケイ化物 ,  *ニッケル化合物 ,  *ナノ結晶 ,  *RTA【熱処理】 ,  *MIS構造 ,  二酸化ケイ素 ,  容量電圧特性 ,  データ蓄積 ,  データ消去 ,  保持
準シソーラス用語： RTO【熱処理】 ,  *ケイ化ニッケル ,  データ記録

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 不揮発性メモリ ,  ケイ化ニッケル ,  ナノ結晶 ,  酸素 ,  アニーリング