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J-GLOBAL ID：201202293668095342   整理番号：12A1405185

非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタの電気増強に及ぼすマイクロ波アニーリングの効果

Effects of microwave annealing on electrical enhancement of amorphous oxide semiconductor thin film transistor

著者 (4件)： TENG Li-feng (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan) ,  LIU Po-tsun (Dep. of Photonics and Display Inst., National Chiao Tung Univ., HsinChu 30010, Taiwan) ,  LO Yuan-jou (Coll. of Photonics and Inst. of Photonic System, National Chiao Tung Univ., Tainan City 71150, Taiwan) ,  LEE Yao-jen (National Nano Device Laboratories, Hsinchu 30078, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 13  ページ： 132901-132901-4  発行年： 2012年09月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱炉中アニールの代わりにマイクロ波アニーリング法を用いて非晶質InGaZnO薄膜トランジスタ(a-IGZO TFT)のキャリア移動度が13.5cm²/Vs,しきい電圧が3.28V,及びサブしきい揺動が0.43V/ディケードの電気特性を明らかにした。100sのマイクロ波アニーリングによるTFT性能は450°Cで1hの炉中アニーリングの場合と十分競合する。電気的向上に対する物理メカニズムも推論した。この興味ある材料は低サーマルバジェット及び選択加熱のために,マイクロ波アニーリングは半導体TFTの製造における非晶質酸化物に大いに有望である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化物 ,  *非晶質半導体 ,  半導体薄膜 ,  *マイクロ波加熱 ,  焼なまし ,  *薄膜トランジスタ ,  キャリア移動度 ,  電圧 ,  結合エネルギー
準シソーラス用語： アニール ,  閾電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質 ,  酸化物半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  増強 ,  マイクロ波 ,  アニーリング