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J-GLOBAL ID：201202293964982354   整理番号：12A0964860

ダイヤモンドのMeV範囲窒素イオン注入で生成させたNV中心に関する収率およびコヒーレンス時間

Yield and Coherence Time of the NV Centers Created by MeV Range Nitrogen Ion Implantation of Diamond

著者 (6件)： ISOYA J. (Univ. Tsukuba) ,  UMEDA T. (Univ. Tsukuba) ,  OHSHIMA T. (JAEA) ,  ONODA S. (JAEA) ,  SATO S. (JAEA) ,  MORISHITA N. (JAEA)
資料名： 日本原子力研究開発機構JAEA-Review(Web)
号： 2011-043  ページ： 1-10 (WEB ONLY)  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： U0296A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で作動する固体量子プロセッサの開発に関連して,本研究では,ダイヤモンド中に,MeV窒素イオン注入で生成させたNV中心(S=1)について,収率およびコヒーレンス時間(T₂)を実験研究で調べた。その結果に基づいて,1)NV中心は,窒素イオン注入後のアニーリングによって,注入N原子に向けての空格子点の拡散によって生成されること,2)約100%の高い収率と1msを超えるT₂とを達成したこと,を記した。

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  *イオン注入 ,  *窒素 ,  1-10MeV ,  *空格子点 ,  収率 ,  時間 ,  焼なまし ,  実験 ,  化学蒸着 ,  同位体濃縮
準シソーラス用語： in situ実験 ,  *NV中心 ,  コヒーレンス時間

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

引用文献 (1件)：

• 1) G. Balasubramanian et al., Nat. Mater. 8 (2009) 383.

タイトルに関連する用語 (6件)： ダイヤモンド ,  窒素イオン ,  注入 ,  NV中心 ,  収率 ,  コヒーレンス時間