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J-GLOBAL ID：201202294420920548   整理番号：12A1081019

n-Si,n-Ge,およびn-InGaAsを基本とする超低抵抗率の金属-絶縁体-半導体接触を形成する絶縁体を選択するための総合的なモデル

A unified model for insulator selection to form ultra-low resistivity metal-insulator-semiconductor contacts to n-Si, n-Ge, and n-InGaAs

著者 (4件)： AGRAWAL Ashish (Dep. of Electrical Engineering, The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  SHUKLA Nikhil (Dep. of Electrical Engineering, The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  AHMED Khaled (Applied Materials, Santa Clara, California 95054-3299, USA) ,  DATTA Suman (Dep. of Electrical Engineering, The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania 16802, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 4  ページ： 042108-042108-4  発行年： 2012年07月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低抵抗率の金属-絶縁体-半導体(M-I-S)のOhm接触を研究するために,相補的で,物理に基づく総合モデルを開発した。絶縁体層の厚さの異なるn-Si,n-Ge,およびn-InGaAsに関する固有の接触抵抗率を計算するために,絶縁体層の厚さの関数として求めた半導体における金属誘起のギャップ状態密度の低下およびFermi準位の脱ピン止め効果を,金属-絶縁体-半導体(M-I-S)系を通過するトンネル抵抗を含む電子輸送と関連づけた。n-Si上にTiO₂の絶縁体層を持つ試料は伝導帯のオフセットが小さいために,接触抵抗率は1×10^-9Ωcm²,n-Ge上においてTiO₂とZnOを用いた試料の接触抵抗率は7×10^-9Ωcm²,そしてn-InGaAs上においてCdOの絶縁体を持つ試料の接触抵抗率は6×10^-9Ωcm²となることが分かった。これらの値はいずれもサブ22nm-CMOSの要請に合致する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  半導体 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  N型半導体 ,  *比率 ,  *MIS構造 ,  Ohm接触 ,  モデル ,  バンドオフセット ,  伝導バンド ,  トンネル効果 ,  酸化チタン ,  酸化亜鉛 ,  酸化カドミウム ,  Fermi準位 ,  ピン止め
準シソーラス用語： *接触抵抗率 ,  脱ピン止め

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  Ge ,  InGaAs ,  低抵抗 ,  絶縁体 ,  総合 ,  モデル