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J-GLOBAL ID：201202294513383780   整理番号：12A1439420

ソースマスク最適化によるリソグラフィターゲット最適化

Lithography Target Optimization with Source-Mask Optimization

著者 (4件)： DENG Yunfei (GLOBALFOUNDRIES, CA, USA) ,  COSKUN Tamer H. (Cadence Design Systems, Inc., CA, USA) ,  KYE Jongwook (GLOBALFOUNDRIES, CA, USA) ,  LEVINSON Harry J. (GLOBALFOUNDRIES, CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8326  号： Pt.2  ページ： 83262P.1-86262P.8  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 設計から製造への過程にはテープアウトがあり,そこではレチクル製作段階やウエハ露光段階などで設計の形状がウエハ上では変化する。まず,設計の意図を実現するために設計ターゲットをウエハターゲットに落とし込む。次に,リソグラフィターゲットをウエハターゲットから求める。本稿は,開発初期段階においてリソグラフィターゲット最適化をソースマスク最適化(SMO)フローに入れることを提案する。リソグラフィターゲット最適化とソースマスク最適化の集積によってリソグラフィターゲット,ソース,マスクが一緒に調整されてプロセスウインドウを拡げる。開発の後段階ではリターゲットルールを最適リソグラフィターゲットから導き,マスク最適化プロセスに適用する。このリソグラフィターゲット最適化フローは開発初期段階におけるリソグラフィターゲットルールの調整プロセスを速め,マスク最適化プロセスにも最適ターゲットルールをもたらせる。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  *半導体プロセス ,  補正 ,  許容範囲 ,  回路パターン形成 ,  最適化 ,  バイアス
準シソーラス用語： *ソースマスク最適化 ,  ダブルパターニング ,  プロセスウィンドウ ,  近接効果補正 ,  光近接効果補正

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ソース ,  マスク ,  最適化 ,  リソグラフィ ,  ターゲット