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J-GLOBAL ID：201202294544846281   整理番号：12A1765770

平坦性がかなりよいIb型ダイヤモンド基板上でのマイクロ波プラズマCVD法を用いたホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の成長

Growth of homoepitaxial diamond thin film on the fairly-well flat Ib-type diamond substrate using micro-wave plasma CVD method

著者 (5件)： SHIRAI Shoma (Kanagawa Univ., Hiratsuka) ,  MOTOSUGI Taro (Kanagawa Univ., Hiratsuka) ,  HOSHINO Yasushi (Kanagawa Univ., Hiratsuka) ,  SAITO Yasunao (Kanagawa Univ., Hiratsuka) ,  NAKATA Jyoji (Kanagawa Univ., Hiratsuka)
資料名： Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 30  ページ： 25-30  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： L0263A  ISSN： 0914-2908  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： かなりよく研磨し原子的に平坦なIb型(100)ダイヤモンド基板上にマイクロ波プラズマ増強化学気相蒸着(MPCVD)法を用いてダイヤモンド薄膜を作製した。MPCVD膜表面を原子間力顕微鏡(AFM)および光学顕微鏡により観察した。試料の中心領域近傍では異常な結晶成長を観測した。一方,表面の周辺領域でAFMにより評価した表面粗さは粗く研磨した基板上に成長した膜の粗さよりも一桁小さかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜 ,  プラズマCVD ,  結晶成長 ,  *表面粗さ ,  顕微鏡観察 ,  光学顕微鏡法
準シソーラス用語： MPCVD ,  *ダイヤモンド薄膜 ,  原子間力顕微鏡法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 平坦性 ,  ダイヤモンド基板 ,  マイクロ波プラズマCVD ,  ホモ ,  エピタキシャル ,  ダイヤモンド薄膜 ,  成長