GaN 基板パターン化によるインジウム含量の横方向制御とIII-窒化物ダイオード・レーザーの波長

SARZYNSKI Marcin; SARZYNSKI Marcin; SUSKI Tadeusz; STASZCZAK Grzegorz; KHACHAPURIDZE Aleksander; DOMAGALA Jarostaw Z.; CZERNECKI Robert; CZERNECKI Robert; PLESIEWICZ Jerzy; PAWLOWSKA Joanna; NAJDA Stephen P.; BOCKOWSKI Michal; BOCKOWSKI Michal; PERLIN Piotr; PERLIN Piotr; LESZCZYNSKI Michal; LESZCZYNSKI Michal

文献

J-GLOBAL ID：201202294562441060 整理番号：12A0495512

GaN 基板パターン化によるインジウム含量の横方向制御とIII-窒化物ダイオード・レーザーの波長

Lateral Control of Indium Content and Wavelength of III-Nitride Diode Lasers by Means of GaN Substrate Patterning

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資料名：
巻： 5 号： 2 ページ： 021001.1-021001.3 発行年： 2012年02月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

50nmのIn_0.1Ga_0.9N層を成長させるのにウルツ鉱c-面に0.4と2°の間の角度を付けた別々の領域の模様をつけたGaN/サファイヤ・テンプレートを用いた。光ルミネセンス波長は,増加した領域の角度によって403と389nmの間で変化した。X線を使って測ったインジウム含量は,より高いmiscut角度の領域で減った。リッジ導波路ダイオード・レーザーを作るのにc-面に0.35と0.85°の角度を付けた別々の領域の模様をつけた自立構造のGaNを使った。各々のレーザー線条は,角度を付けた領域のうちの1つに置いた。これらの領域で成長させたデバイスで405.8±0.2と401.0±1nmのレイジング波長を得た。(翻訳著者抄録)

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半導体レーザ

引用文献 (21件)：

NAKAMURA, S. ed. Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light-Emitting Diodes. 2000
FREITAS, J. A. Jr. J. Phys. D. 2010, 43, 073001
HUANG, X. R. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 211906
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NAKAMURA, A. Phys. Status Solidi C. 2008, 5, 2007

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