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J-GLOBAL ID：201202294779781713   整理番号：12A1048072

強結合量子化学分子動力学法にもとづく結晶成長シミュレーターの開発とシリコンの化学蒸着プロセスへの応用

Development of Crystal Growth Simulator Based on Tight-Binding Quantum Chemical Molecular Dynamics Method and Its Application to Silicon Chemical Vapor Deposition Processes

著者 (5件)： KUWAHARA Takuya (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ITO Hiroshi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HIGUCHI Yuji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OZAWA Nobuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KUBO Momoji (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 23  ページ： 12525-12531  発行年： 2012年06月14日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強結合量子化学分子動力学(TB-QCMD)法にもとづく結晶成長シミュレーターを開発し,化学反応と電子移動ダイナミックスを含むCVDプロセスの詳細を解明した。前駆体分子の連続的照射と蒸発した分子の除去などを含む新しいアルゴリズムを導入し,電子的および原子論的レベルでのCVDプロセスのシミュレーションが可能となった。シリコンのPECVDプロセスのシミュレーションの場合には,ベースとなる化学反応と電子移動が初めて明らかにできた。SiH₃ラジカルを繰り返し水素-末端Si(001)面に照射し,表面水素原子の引き抜き,水素-末端Si(001)面のダングリング結合によるSiH₃ラジカルの吸着などの各種表面事象を観察できた。TB-QCMD法によってPECVDの前駆体ガスと実験条件を選択する際の最も重要な因子である付着係数が評価できる。TB-QCMD法と第1原理パラメーター付けは定量的に静的第1原理計算を再現でき,その精度と信頼性が確認された。

シソーラス用語： *分子動力学 ,  量子論 ,  *結晶成長 ,  *化学蒸着 ,  *実験用シミュレータ ,  *ケイ素 ,  シラン ,  ラジカル ,  電子移動 ,  ダングリングボンド ,  プラズマCVD
準シソーラス用語： 量子分子動力学

分類 (1件)： 結晶成長一般  (BK13010Q)

タイトルに関連する用語 (9件)： 強結合 ,  量子化学 ,  分子動力学法 ,  結晶成長 ,  シミュレーター ,  開発 ,  シリコン ,  化学蒸着プロセス ,  応用