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J-GLOBAL ID：201202294918290851   整理番号：12A0256679

六フッ化硫黄における逃走電子生成の数値シミュレーション

Numerical simulation of runaway electrons generation in sulfur hexafluoride

著者 (2件)： LEVKO D. (Dep. of Physics, Technion, 32000 Haifa, ISR) ,  KRASIK Ya. E. (Dep. of Physics, Technion, 32000 Haifa, ISR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 1  ページ： 013305  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 六フッ化硫黄内の逃走電子の生成の数値シミュレーションの結果を示した。逃走電子の放出は陰極とその近傍から起こることを示した。これらの電子の生成は電界放出を遮蔽する仮想陰極の形成によって終わる。シミュレーションは仮想陰極が主に負イオンからなり,逃走電子の有効な源であり得ないことを示した。さらに,シミュレーションの結果は逃走電子のパラメータが高電圧パルスの振幅と立ち上がり時間および気体の圧力に依存することを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フッ化硫黄 ,  *逃走電子 ,  シミュレーション ,  電界放出 ,  *気体放電 ,  圧力 ,  カソード
準シソーラス用語： 六フッ化硫黄 ,  数値シミュレーション ,  仮想陰極

分類 (1件)： 気体放電  (BJ03020T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 六フッ化硫黄 ,  逃走電子 ,  数値シミュレーション