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J-GLOBAL ID：201202295014849359   整理番号：12A0267105

磁性薄膜研究の最前線 I-合金薄膜形成技術-グラニュラ型垂直磁気記録媒体の作製プロセスとナノ構造制御-高ガス圧プロセス脱却がもたらすブレイクスルー

Fabrication Process and Control of Nanostructures for Granular Perpendicular Magnetic Recording Media-Breakthrough in HD Media by Low-Gas-Pressure Process

著者 (2件)： 斉藤伸 (東北大 大学院工学研究科) ,  高橋研 (東北大 大学院工学研究科)
資料名： まぐね  (Magnetics Japan)
巻： 7  号： 1  ページ： 5-11  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： L5842A  ISSN： 1880-7208  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： グラニュラ型垂直磁気記録媒体の材料・プロセス開発のブレイクスルーの芽になると思われる検討結果を報告する。グラニュラ型材料を用いた垂直磁気記録ハードディスク媒体は,主として記録層(RL)/非磁性中間層(NMIL)/軟磁性裏打ち層(SUL)の3層から構成されている。現行のNMILの厚さは約20nmあり,その低ガス圧化と薄膜化を検討した。その結果,現行の8.0Pa成膜のRu NMIL(20nm)上のグラニュラ媒体と同等の磁気的孤立性を得るためには,0.6Pa雰囲気の60度斜め入射スパッターであれば,膜厚が8nmもあれば十分であることが分かった。RLでは,課題となっている量産効率改善のための厚膜化用ターゲットを検討し,以下の4点の指標を得た。(1)Coを非磁性化した素材粉を用いること,(2)SiO₂素材粉を用いないこと,(3)低圧スパッタープロセスの過程で欠損する酸素分をターゲット素材の酸化物で補うこと,(4)薄膜中のSiとOの比を1対2に調整するために,SiとOを各々別の焼結素材から供給すること。

シソーラス用語： 薄膜 ,  *磁性薄膜 ,  粒状性 ,  金属薄膜 ,  薄膜成長 ,  *垂直磁気記録 ,  *ナノ構造 ,  制御 ,  記憶媒体 ,  磁気記録 ,  磁気ディスク ,  斜め入射波 ,  スパッタリング
準シソーラス用語： *グラニュラー薄膜 ,  ハードディスク ,  構造制御 ,  *合金薄膜 ,  磁気記録媒体 ,  薄膜形成

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (9件)： 磁性薄膜 ,  研究 ,  合金 ,  薄膜形成技術 ,  垂直磁気記録媒体 ,  作製 ,  プロセス ,  ナノ構造制御 ,  ガス圧