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J-GLOBAL ID：201202295074187878   整理番号：12A1215760

GaInN/GaInN超格子を使った窒化物太陽電池の集光特性

Concentrating properties of nitride-based solar cells using GaInN/GaInN superlattices

著者 (11件)： MORI M. (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  YAMAMOTO S. (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  KUWAHARA Y. (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  FUJII T. (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  SUGIYAMA T. (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  IWAYA M. (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEUCHI T. (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  KAMIYAMA S. (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AKASAKI I. (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AKASAKI I. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  AMANO H. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8262  ページ： 82620Z.1-82620Z.8  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化合物半導体太陽電池のコスト高は太陽集光器の使用で解決できる。Si太陽電池の最大効率は96sunsで得られるが,GaInN太陽電池の集光光起電特性は30sunsまでしか調べられていない。窒化物太陽電池の集光特性を室温で200sunsまで調べた。デバイスはGaN基板上のGaInN/GaInN超格子のGaInN太陽電池である。ピットフリーサンプルのV_OC,J_SC,ηは1~200Ssunsで単調増加したが,FFは若干減少した。集光率増加でFFが減少するのは結晶品質が悪いからである。V_OCよりもηの増加が比較的高いのは,集光率増加によるJ_SCの増加に起因する。ピットフリー表面と結晶品質の高い下層の実現は,集光を使う高性能窒化物太陽電池に不可欠である。

シソーラス用語： 太陽電池 ,  *窒化物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  半導体材料 ,  エネルギー変換効率 ,  電圧 ,  撮像特性 ,  *超格子 ,  短絡電流 ,  品質 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： GaInN ,  フィルファクタ ,  開回路電圧 ,  結晶品質 ,  *集光型太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 超格子 ,  窒化物 ,  太陽電池 ,  集光