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J-GLOBAL ID：201202295299421764   整理番号：12A1405212

室温での3端子ナノ接合における60mV/dec以下のサブ閾値スイング

Subthreshold swings below 60 mV/dec in three-terminal nanojunctions at room temperature

著者 (3件)： MUELLER C. R. (Technische Physik, Physikalisches Inst., Universitaet Wuerzburg and Wilhelm Conrad Roentgen Res. Center for Complex ...) ,  WORSCHECH L. (Technische Physik, Physikalisches Inst., Universitaet Wuerzburg and Wilhelm Conrad Roentgen Res. Center for Complex ...) ,  FORCHEL A. (Technische Physik, Physikalisches Inst., Universitaet Wuerzburg and Wilhelm Conrad Roentgen Res. Center for Complex ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 13  ページ： 133504-133504-4  発行年： 2012年09月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温での3端子ナノ接合(TTJ)において,60mV/dec以下の熱限界のサブ閾値スイングを実現した。50nm幅の中心分岐をもつT形状TTJを変調ドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造上に形成し,電子ビームリソグラフィおよびウエット化学エッチングにより輪郭を明瞭化した。面内ゲート制御電界トランジスタとして作動させて,トランジスタ特性を評価した。40mV/dec以下のサブ閾スイングをもつ効率的スイッチングが実現できた。これらの特性は,素子のスイッチング特性を顕著に改善させる動的ゲート容量に帰着する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *接合 ,  ヘテロ接合 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  電子ビームリソグラフィー ,  エッチング ,  *FET【トランジスタ】 ,  *スイッチング ,  閾値 ,  静電容量
準シソーラス用語： 3端子ナノ接合 ,  *ナノ接合 ,  化学エッチング ,  サブ閾値 ,  ゲート容量

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 室温 ,  ナノ接合 ,  DEC ,  サブ閾値スイング