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J-GLOBAL ID：201202295677865714   整理番号：12A0873975

Ti/HfO₂抵抗スイッチング構造におけるエレクトロフォーミングの硬X線光電子分光研究

Hard x-ray photoelectron spectroscopy study of the electroforming in Ti/HfO₂-based resistive switching structures

著者 (9件)： SOWINSKA M. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU) ,  BERTAUD T. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU) ,  WALCZYK D. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU) ,  THIESS S. (Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY, Notkestrasse 85, 22607 Hamburg, DEU) ,  SCHUBERT M. A. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU) ,  LUKOSIUS M. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU) ,  DRUBE W. (Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY, Notkestrasse 85, 22607 Hamburg, DEU) ,  WALCZYK Ch. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU) ,  SCHROEDER T. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 23  ページ： 233509-233509-5  発行年： 2012年06月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ti/HfO₂抵抗スイッチング素子に対するエレクトロフォーミングプロセスによって生じる化学的および電気的改質を,非破壊的硬X線光電子分光(HAXPES)により調べた。結果は,エレクトロフォーミングプロセスの後で,HfO₂との界面で,チタンの頂部電極の酸化が増大することを示した。さらに,エレクトロフォーミングを行った試料のHAXPESピークの結合エネルギーは,フォーミング前よりも増加した。観測された試料間の変化は,チタン界面付近のHfO₂層内で,エレクトロフォーミングプロセスの際に,酸素空孔のようなn型欠陥が生成されることに起因している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化ハフニウム ,  チタン ,  *スイッチング ,  *電鋳 ,  *X線光電子分光法 ,  硬X線
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  エレクトロフォーミング

分類 (1件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ti ,  HfO2 ,  抵抗スイッチング ,  エレクトロフォーミング ,  硬X線光電子分光 ,  研究