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J-GLOBAL ID：201202295853258994   整理番号：12A0273878

圧力下にあるPb_1-x-ySn_xV_yTeの電流磁気特性と電子構造

Galvanomagnetic properties and electronic structure of Pb_1-x-ySn_xV_yTe under pressure

著者 (6件)： SKIPETROV E P (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  GOLOVANOV A N (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  KOVALEV B B (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  KNOTKO A V (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  SLYN’KO E I (Inst. of Materials Sci. Problems, Chernovtsy, UKR) ,  SLYN’KO V E (Inst. of Materials Sci. Problems, Chernovtsy, UKR)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 1  ページ： 015019,1-9  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 15kbarまでの静水圧下において,合金の組成が異なる(x=0.05~0.20,y≦0.01)Pb_1-x-ySn_xV_yTe合金の弱磁場域(0.07T以下),そして4.2~300Kの温度域で電流磁気特性を研究した。また,4.2Kおよび7T以上の磁場域においてShubnikov-de-Haas効果を研究した。バナジウム不純物の濃度が増すと,伝導帯の下に位置するバナジウムに起因するドナー型の深い不純物準位によるFermi準位のピン止め効果のために,p-n変換と絶縁体相への転移が起こることが分かった。また,圧力は,バナジウム準位の活性化エネルギー,低温における伝導度のタイプのn-p転換,および絶縁体-金属転移に大きな影響を及ぼすことが分かった。金属相では,ヘリウム温度におけるHall移動度の急激な増大(3×10⁵cm²V^-1s^-1まで),およびShubnikov-de-Haas振動の出現が確認された。更に,バナジウムの深いエネルギー準位の圧力および温度係数も決定した。

シソーラス用語： 圧力効果 ,  *テルル化物 ,  *鉛化合物 ,  *スズ化合物 ,  ドーピング ,  バナジウム ,  化合物半導体 ,  Hall効果 ,  *電気伝導率 ,  Shubnikov-de Haas効果 ,  不純物濃度 ,  濃度依存性 ,  *不純物準位 ,  深い準位 ,  Fermi準位 ,  ピン止め ,  Hall移動度 ,  温度依存性 ,  X線回折
準シソーラス用語： 圧力依存性 ,  電気伝導の型

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (2件)： 磁気特性 ,  電子構造