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J-GLOBAL ID：201202297831218037   整理番号：12A0439525

耐放射線性宇宙用パワーMOSFETの開発

著者 (7件)： 水田栄一 (宇宙航空研究開発機構 研究開発本部) ,  池田直美 (宇宙航空研究開発機構 研究開発本部) ,  徳江喜泰 (宇宙航空研究開発機構 研究開発本部) ,  久保山智司 (宇宙航空研究開発機構 研究開発本部) ,  井上正範 (富士電機) ,  立道秀平 (富士電機) ,  北村明夫 (富士電機)
資料名： JAXA宇宙航空技術研究発表会前刷集
巻： 2011  ページ： 92-95  発行年： 2011年 
JST資料番号： S0876E  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOSFET ,  電力トランジスタ ,  人工衛星 ,  電子部品 ,  *耐放射線性 ,  酸化膜 ,  オン抵抗 ,  信頼性 ,  SEU【シングルイベント】 ,  飛翔体 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： *パワーMOSFET ,  nチャネルMOSFET ,  ゲート酸化膜 ,  シングルイベント効果

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 耐放射線性 ,  宇宙 ,  パワーMOSFET ,  開発