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J-GLOBAL ID：201202298231280924   整理番号：12A0379287

ファブ-アベイラブル材料によって構築した自己矯正及び成形無しHfO_xベース高性能RRAM

Self-Rectifying and Forming-Free Unipolar HfO_x based-High Performance RRAM Built by Fab-Avaialbe Materials

著者 (17件)： TRAN X. A. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  GAO B. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  GAO B. (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  KANG J. F. (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  WU X. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  WU L. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  FANG Z. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  FANG Z. (A*STAR, Singapore) ,  WANG Z. R. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  PEY K. L. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  YEO Y. C. (National Univ. Singapore, Singapore) ,  DU A. Y. (GLOBALFOUNDRIES Singapore) ,  LIU M. (Inst. Microelectronics, CAS, Beijing, CHN) ,  NGUYEN B. Y. (Soitec, Crolles, FRA) ,  LI M. F. (Fudan Univ., CHN) ,  YU H. Y. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  YU H. Y. (Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2011  ページ： 713-716  発行年： 2011年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 250°Cの原子層蒸着を用いてSi基板上に約4nm厚酸化ハフニウム膜を蒸着し,常温スパッタによりNi上面層を蒸着してパターンを形成し,NiSi底面電極とTiN上面電極を用いてCMOSソース/ドレインケイ化物コンパチブル酸化ハフニウムRRAMを作製した。このメモリは優れた自己矯正挙動,成形無し単極性抵抗スイッチング,及び広い読出余裕を実現した。

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  自己調節 ,  *酸化ハフニウム ,  スパッタリング ,  薄膜成長 ,  スイッチング ,  アレイ
準シソーラス用語： *RRAM ,  シリコン基板 ,  原子層蒸着 ,  高性能 ,  高密度化 ,  読出回路 ,  薄膜メモリ ,  平面アレイ

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (6件)： ファブ ,  構築 ,  自己 ,  矯正 ,  高性能 ,  RRAM