文献

J-GLOBAL ID：201202299035919921   整理番号：12A1143575

19nmテクノロジーによる書込み速度18MB/sで400Mb/sトグルモードの128Gb 3b/セルNANDフラッシュメモリ

128Gb 3b/Cell NAND Flash Memory in 19nm Technology with 18MB/s Write Rate and 400Mb/s Toggle Mode

著者 (40件)： LI Yan (Sandisk, CA) ,  LEE Seungpil (Sandisk, CA) ,  OOWADA Ken (Sandisk, CA) ,  NGUYEN Hao (Sandisk, CA) ,  NGUYEN Qui (Sandisk, CA) ,  MOKHLESI Nima (Sandisk, CA) ,  HSU Cynthia (Sandisk, CA) ,  LI Jason (Sandisk, CA) ,  RAMACHANDRA Venky (Sandisk, CA) ,  KAMEI Teruhiko (Sandisk, CA) ,  HIGASHITANI Masaaki (Sandisk, CA) ,  PHAM Tuan (Sandisk, CA) ,  HONMA Mitsuaki (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  WATANABE Yoshihisa (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  INO Kazumi (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  LE Binh (Sandisk, CA) ,  WOO Byungki (Sandisk, CA) ,  HTOO Khin (Sandisk, CA) ,  TSENG Tai-Yuan (Sandisk, CA) ,  PHAM Long (Sandisk, CA) ,  TSAI Frank (Sandisk, CA) ,  KIM Kwang-Ho (Sandisk, CA) ,  CHEN Yi-Chieh (Sandisk, CA) ,  SHE Min (Sandisk, CA) ,  YUH Jong (Sandisk, CA) ,  CHU Alex (Sandisk, CA) ,  CHEN Chen (Sandisk, CA) ,  PURI Ruchi (Sandisk, CA) ,  LIN Hung-Szu (Sandisk, CA) ,  CHEN Yi-Fang (Sandisk, CA) ,  MAK William (Sandisk, CA) ,  HUYNH Jonathan (Sandisk, CA) ,  CHAN Jim (Sandisk, CA) ,  WATANABE Mitsuyuki (Sandisk, CA) ,  YANG Daniel (Sandisk, CA) ,  SHAH Grishma (Sandisk, CA) ,  SOURIRAJ Pavithra (Sandisk, CA) ,  TADEPALLI Dinesh (Sandisk, CA) ,  TENUGU Suman (Sandisk, CA) ,  GAO Ray (Sandisk, CA)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2012  ページ： 436-437  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3b/セル(X3)NANDフラッシュメモリは,2008年に初めて発表されたが,今日既に各種の電子機器で利用されている。本稿は,オールビット線アーキテクチャを利用して浮遊ゲート間の結合を低減し,18Mb/sのプログラム速度と400Mb/sの入出力インタフェイスを備えた,19nmテクノロジーによる128Gb X3 NANDフラッシュメモリの開発を報告した。低い故障ビット数とコスト低減を図りながら,アーキテクチャの改善と周辺回路の高密度実装により,従来世代のNANDよりも高性能を達成した。エアギャップ技術による隣接干渉とワード線RCの低減によりスループットをさらに改善し,トグルモード400Mb/s入出力インタフェイスによりオーバヘッドを低減し,システム全体としての性能を向上した。

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,  *データ書込 ,  配線 ,  フローティングゲート ,  電磁結合 ,  入出力インタフェイス ,  原価低減 ,  回路 ,  雑音低減 ,  *スループット ,  セル構造 ,  スケール則 ,  高速度 ,  高密度実装 ,  *NANDフラッシュメモリ ,  周辺回路 ,  減少 ,  変化
準シソーラス用語： ビット線 ,  ワード線 ,  干渉低減 ,  高性能 ,  容量結合

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： テクノロジー ,  書込み ,  トグル ,  セル ,  NANDフラッシュメモリ