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J-GLOBAL ID：201202299086141267   整理番号：12A0505380

第一原理計算によるHfO₂/SiO₂/Si界面の酸素空孔の解析

著者 (2件)： 小嶋隆史 (大阪大 大学院) ,  小野倫也 (大阪大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 67  号： 1 第4分冊  ページ： 958  発行年： 2012年03月05日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 計算 ,  ab initio法 ,  *酸化ハフニウム ,  二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  *空格子点 ,  クリストバライト ,  界面
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  酸素空孔 ,  固固界面

分類 (2件)： その他の接合  (BM03088W) ,  その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 第一原理計算 ,  HfO2 ,  SiO2 ,  Si ,  界面 ,  酸素空孔 ,  解析