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J-GLOBAL ID：201202299105902665   整理番号：12A0783905

バルクおよび薄膜シリコンの熱伝導 Landauerの方法

Thermal conductivity of bulk and thin-film silicon: A Landauer approach

著者 (3件)： JEONG Changwook (Network for Computational Nanotechnology, Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  DATTA Supriyo (Network for Computational Nanotechnology, Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  LUNDSTROM Mark (Network for Computational Nanotechnology, Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 9  ページ： 093708-093708-6  発行年： 2012年05月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクおよび薄膜シリコンの熱伝導評価の目的で,完全なフォノン分散記述によりLandauerの方法を用いて,種々の平均自由行程を持つフォノンが全熱流のどれだけの割合を運ぶかを調べた。バルクシリコンについては,結果は最近の分子動力学処理を再現するものとなり,約50%の熱を平均自由行程が1μmを超すフォノンが運んでいることを示した。薄膜シリコンの面内熱伝導に関しては,50%の熱を平均自由行程がバルクのものより短いフォノンが運んでいた。膜厚が0.2μmより小さくなると,50%の熱を運ぶフォノンの平均自由行程は膜厚よりも長くなった。準弾道フォノン輸送が重要になる薄膜の面をよぎる熱伝導でについても調べた。弾道輸送については,結果は周知のCasimir限界に帰する。この結果は,バルクおよび薄膜シリコンのフォノン輸送を明らかにし,Landauerの方法が比較的簡単ではあるが正確に弾道から拡散領域までのフォノン輸送処理手段であることを実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *薄膜 ,  *熱伝導 ,  *平均自由行程 ,  *フォノン ,  熱流 ,  分子動力学 ,  膜厚 ,  弾道フォノン ,  拡散 ,  式 ,  Casimir効果
準シソーラス用語： Landauerの式

分類 (2件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z) ,  格子振動の熱的・統計的性質  (BL03050G)

タイトルに関連する用語 (4件)： バルク ,  薄膜 ,  シリコン ,  熱伝導