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J-GLOBAL ID：201202299601066621   整理番号：12A0059108

単一電子トランジスタの集積のための電界放出誘起エレクトロマイグレーション法

Field-emission-induced electromigration method for the integration of single-electron transistors

著者 (6件)： UENO Shunsuke (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., Koganei, Tokyo 184-8588, JPN) ,  TOMODA Yusuke (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., Koganei, Tokyo 184-8588, JPN) ,  KUME Watari (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., Koganei, Tokyo 184-8588, JPN) ,  HANADA Michinobu (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., Koganei, Tokyo 184-8588, JPN) ,  TAKIYA Kazutoshi (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., Koganei, Tokyo 184-8588, JPN) ,  SHIRAKASHI Jun-ichi (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., Koganei, Tokyo 184-8588, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 6  ページ： 2153-2156  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プレーナ型単一電子トランジスタ(SET)を集積する簡単で容易な方法を報告した。この方法は,「活性化」と呼ばれる,電界放出電流によって誘起されたエレクトロマイグレーションに基づいている。直列初期ナノギャップに対して活性化を行うことによって2つのSETの集積を実現した。両者の同時に活性化されたデバイスにおいて,電流電圧(I_D-V_D)曲線はCoulombブロッケード性を示し,Coulombブロッケード電圧は16Kにおいてゲート電圧によって明白に変調された。更に,両方のSETの充電エネルギーは活性化におけるプリセット電流によって良く制御された。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *単一電子トランジスタ ,  *電界放出 ,  *エレクトロマイグレーション ,  間隙 ,  *集積 ,  電流電圧特性 ,  Coulombブロッケード ,  活性化 ,  状態 ,  トンネル接合 ,  Fowler-Nordheimトンネリング ,  ニッケル
準シソーラス用語： ナノギャップ ,  直列

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単一電子トランジスタ ,  集積 ,  電界放出 ,  誘起 ,  エレクトロマイグレーション