高出力半導体レーザのための高次回折格子

VASIL’EVA V. V.; VINOKUROV D. A.; ZOLOTAREV V. V.; LESHKO A. Yu.; PETRUNOV A. N.; PIKHTIN N. A.; RASTEGAEVA M. G.; SOKOLOVA Z. N.; SHASHKIN I. S.; TARASOV I. S.

文献

J-GLOBAL ID：201202299876018244 整理番号：12A0363044

高出力半導体レーザのための高次回折格子

High-order diffraction gratings for high-power semiconductor lasers

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VASIL’EVA V. V.

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SOKOLOVA Z. N.

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Semiconductors (Semiconductors)

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巻： 46 号： 2 ページ： 241-246 発行年： 2012年02月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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一個の被覆層の中の大きな周期(2μm前後)の深い回折格子を半導体レーザの選択的フィードバックの実施のために提案する。方形,三角形および台形の回折格子について,12次の回折反射率の周波数依存性を計算した。導波路モードの最大の反射率を,レーザ構造において2μm前後の深さの方形または台形の格子を用いて達成できることを示した。フォトリソグラフィーと反応性エッチングを用いてGaAs/AlGaAsレーザ構造のAl_0.3Ga_0.7As被覆層中に深い台形の回折格子を大きな周期で作った。Copyright 2012 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

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