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J-GLOBAL ID：201202299881413020   整理番号：12A0226095

Al_xGa_1-xNエピタキシャル薄膜の格子歪みとエネルギーギャップボウイング(Bowing)間の関係

Correlation Between Lattice Strain and Energy Gap Bowing of Al_xGa_1-xN Epitaxial Thin Films

著者 (9件)： ZHAO Lan (Luoyang Optoelectronic Inst., Luoyang, CHN) ,  LU Zhengxiong (Luoyang Optoelectronic Inst., Luoyang, CHN) ,  CHENG Caijing (Luoyang Optoelectronic Inst., Luoyang, CHN) ,  ZHAO Degang (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  ZHU Jianjun (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  SUN Baojuan (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  QU Bo (Jordan Valley Semiconductors UK Ltd., Durham, GBR) ,  ZHANG Xiangfeng (Luoyang Optoelectronic Inst., Luoyang, CHN) ,  SUN Weiguo (Luoyang Optoelectronic Inst., Luoyang, CHN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 610/613  号： Pt.1  ページ： 598-603  発行年： 2009年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： エピタキシャル ,  薄膜 ,  格子歪み