特許
J-GLOBAL ID:201203000061673297

基板上でビルドアップ型コンビナトリアルライブラリーを合成する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 辻居 幸一 ,  熊倉 禎男 ,  小川 信夫 ,  箱田 篤 ,  浅井 賢治 ,  山崎 一夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-269482
公開番号(公開出願番号):特開2012-116803
出願日: 2010年12月02日
公開日(公表日): 2012年06月21日
要約:
【課題】糖類をビルドアップ的に合成して糖鎖チップ等を作製する方法を提供すること。【解決手段】選択的に脱保護可能な水酸基の保護基により保護された糖を基板に結合し、第1の所望の水酸基を選択的に脱保護した後、光切断保護基Wを該水酸基に導入する。基板の所望の領域を選択的に露光して、その領域にある保護基Wを選択的に脱保護した後、所望の糖又はキャッピング基を選択的に導入する。基板上のすべての保護基Wを変換するまで、この露光及び糖又はキャッピング基の導入を繰り返す。次に、第2の所望の水酸基を選択的に脱保護、W基の導入、露光、糖又はキャッピング基の導入を繰り返す事を特徴とする糖鎖チップの作製方法。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板上に結合した、少なくとも2個の水酸基を有する化合物であって、そのすべての水酸基が、脱保護条件が相互に異なる少なくとも2種の保護基からなる群から選ばれる保護基で保護された化合物をアクセプターとして用い、該保護基を選択的に脱保護し、脱保護された水酸基に所望のドナー又はキャッピング基を選択的に導入して一枚の基板上でビルドアップ型コンビナトリアルライブラリーを合成する方法において、 (1)第1の保護された水酸基を選択的に脱保護する工程、 (2)脱保護された水酸基に、W基もしくはW(Z)基(Wは光分解により脱離可能な保護基を示し、ZはW基が脱離する光分解の条件でW基と同時に脱保護される基、もしくはW基が脱離する事により、活性化(もしくは不安定化)され、選択的に除去可能になる基を示す)を導入する工程、 (3)基板をn個(nは1以上の整数)の部位に分割し、該基板の第1の部位を選択的に露光し、露光部のW基もしくはW(Z)基を選択的に脱保護し、選択的に脱保護された水酸基に、所望の第1のドナー又はキャッピング基を選択的に導入する工程、 (4)nが2以上の整数である場合、工程(3)を第2の部位から所望の第nの部位まで繰り返し、各部位において、選択的に脱保護された水酸基に、所望の第2のドナー又はキャッピング基ないし所望の第nのドナー又はキャッピング基を選択的に導入する工程、 (5)第2の保護された水酸基について、工程(1)から(4)を繰り返し、第2の保護された水酸基を脱保護し、脱保護された水酸基に、W基もしくはW(Z)基を導入し、基板をn個(nは1以上の整数)の部位に分割し、該基板の第1の部位を選択的に露光し、露光部のW基もしくはW(Z)基を選択的に脱保護し、選択的に脱保護された水酸基に、所望の第1のドナー又はキャッピング基を選択的に導入し、上記工程を第2の部位から所望の第nの部位まで繰り返し、各部位において、選択的に脱保護された水酸基に、所望の第2のドナー又はキャッピング基ないし所望の第nのドナー又はキャッピング基を選択的に導入する工程、 (6)必要により、工程(5)を所望の、保護された水酸基について繰り返し、各水酸基の各部位において、選択的に脱保護された水酸基に、第1ないし第nのドナー又はキャッピング基を選択的に導入する工程を含み、 工程(1)〜(6)において、繰り返して使用する、W基もしくはW(Z)基、基板の分割部位の数n、ドナー又はキャッピング基は、同一でも異なっていても良い、 ことを特徴とする、ビルドアップ型コンビナトリアルライブラリー合成方法。
IPC (3件):
C07H 1/00 ,  C07H 15/04 ,  C40B 50/08
FI (3件):
C07H1/00 ,  C07H15/04 F ,  C40B50/08
Fターム (7件):
4C057AA30 ,  4C057BB02 ,  4C057BB03 ,  4C057BB04 ,  4C057CC01 ,  4C057DD01 ,  4C057JJ10
引用特許:
審査官引用 (4件)
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引用文献:
審査官引用 (1件)

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