特許
J-GLOBAL ID：201203000248814145

半導体装置及びその作製方法

発明者：
遠藤 佑太

遠藤 佑太 について

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佐々木 俊成

佐々木 俊成 について

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野田 耕生

野田 耕生 について

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佐藤 瑞穂

佐藤 瑞穂 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-110530
公開番号（公開出願番号）：特開2012-009838
出願日： 2011年05月17日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：
【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。【解決手段】チャネルを形成する脱水化または脱水素化された酸化物半導体層に接する絶縁層に、シリコン過酸化ラジカルを含む絶縁層を用いる。絶縁層から酸素が放出されることにより、酸化物半導体層中の酸素欠損及び絶縁層と酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 ゲート電極と、 脱水化または脱水素化された酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極と、 前記ゲート電極と前記酸化物半導体層の間に形成されるゲート絶縁層と、 前記酸化物半導体層を介して、前記ゲート絶縁層と対向し、且つ前記酸化物半導体層に接するシリコン過酸化ラジカルを含む絶縁層と、を有する半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/363
FI (10件)：
H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 627F ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 619A ,  H01L21/316 Y ,  H01L21/363
Fターム (86件)：
5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BF14 ,  5F058BF36 ,  5F058BF37 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ04 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103NN10 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD30 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF36 ,  5F110FF40 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ02
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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