特許

J-GLOBAL ID：201003023667343751

半導体装置及び半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  秋元 健吾
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-195539
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080947
出願日： 2009年08月26日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：

【課題】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタにおいて、水分などの不純物を混入させずに良好な界面特性を提供することを課題の一つとする。電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。【解決手段】ゲート絶縁層表面に酸素ラジカル処理を行うことを要旨とする。よってゲート絶縁層と半導体層との界面に酸素濃度のピークを有し、かつゲート絶縁層の酸素濃度は濃度勾配を有し、その酸素濃度はゲート絶縁層と半導体層との界面に近づくにつれて増加する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

ゲート電極層と、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上にソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域上にソース電極層及びドレイン電極層とを含む薄膜トランジスタを有し、 前記ゲート絶縁層と前記酸化物半導体層との界面に酸素濃度のピークを有し、かつ前記ゲート絶縁層の酸素濃度は濃度勾配を有し、その酸素濃度は前記ゲート絶縁層と前記酸化物半導体層との界面に近づくにつれて増加することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/28 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  G09F 9/30

FI (9件)：

H01L29/78 617V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 627B ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301R ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  G09F9/30 338

Fターム (155件)：

2H092GA27 ,  2H092GA51 ,  2H092GA60 ,  2H092HA04 ,  2H092HA05 ,  2H092JA26 ,  2H092JA35 ,  2H092JA36 ,  2H092JA39 ,  2H092JA40 ,  2H092JA43 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB69 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA19 ,  2H092MA05 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA23 ,  2H092MA32 ,  2H092MA35 ,  2H092NA24 ,  2H092NA30 ,  2H092PA02 ,  2H092PA08 ,  2H092PA11 ,  2H092QA07 ,  2H092QA09 ,  2H092QA11 ,  2H092QA13 ,  2H092QA14 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC33 ,  3K107EE04 ,  3K107HH05 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD39 ,  4M104DD51 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD72 ,  4M104FF08 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH03 ,  4M104HH09 ,  4M104HH15 ,  5C094AA21 ,  5C094AA31 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5C094JA20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK15 ,  5F110HK22 ,  5F110HK26 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL01 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HM02 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN39 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 薄膜デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-217272   出願人：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社
• 薄膜トランジスタの製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-236828   出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
• アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-226698   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-235031   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の製造方法および電子機器の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-066114   出願人：セイコーエプソン株式会社