特許

J-GLOBAL ID：201203001633183659

グラフェン素材の製造方法

発明者： 成塚 重弥 ,  丸山 隆浩
出願人/特許権者： 学校法人 名城大学
代理人 (1件)： 特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-149418
公開番号（公開出願番号）：特開2012-144420
出願日： 2011年07月05日
公開日（公表日）： 2012年08月02日
要約：

【課題】所望形状のグラフェン素材を容易に作製する。【解決手段】まず、基板本体12を用意し、その基板本体12の全面にNiの結晶層14を成膜する。続いて、リソグラフィ法により結晶層14をジグザグ状にパターニングし、触媒金属層16とする。さらに、触媒金属層16の側面にTiを形成してこれをマスク材17とする。次に、触媒金属層16に対してアセチレンとアルゴンとの混合ガスによりC原子を供給する。すると、Ni表面は(111)面に再配列されると共に、供給されたC原子は六角格子を形成してグラフェンが成長していく。グラフェンは触媒金属層16上に形成されるため、触媒金属層16と同じ形状つまりジグザグ状となる。次に、ジグザグ状のグラフェンの両末端に四角形の電極18,20を取り付ける。その後、触媒金属層16を酸性溶液で溶かし、グラフェンをグラフェン素材10として取り出す。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(a)グラフェン化を促進する機能を有する所定形状の触媒金属層と該触媒金属層の側面をマスクするマスク材とを基板本体上に形成する工程と、 (b)前記触媒金属層の表面に炭素源を供給してグラフェンを成長させる工程と、 (c)前記触媒金属層から前記所定形状のグラフェンをグラフェン素材として取り出す工程と、 を含むグラフェン素材の製造方法。

IPC (6件)：

C01B 31/02 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40

FI (6件)：

C01B31/02 101Z ,  H01L27/04 L ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 370 ,  H01L29/28 310E

Fターム (23件)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AD22 ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146CA02 ,  4G146CB37 ,  5F038AZ04 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ05 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20