特許
J-GLOBAL ID：201203002457109001
太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
目次 誠
, 宮▲崎▼ 主税
, 中山 和俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-173598
公開番号（公開出願番号）：特開2012-033810
出願日： 2010年08月02日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：
【課題】向上した発電効率を有する太陽電池を製造し得る方法を提供する。【解決手段】エッチング剤を用いて第1の半導体層22の絶縁層23により覆われていない部分をエッチングすることにより除去し、半導体基板10の第1の主面10bの一部を露出させる。フッ酸を含む洗浄液を用いて半導体基板10の第1の主面10bを洗浄する。エッチング剤の第1の半導体層22に対するエッチング速度が、絶縁層23の第1の半導体層22とは反対側の第1の表層23Aに対するエッチング速度よりも高く、かつ、絶縁層23の第1の半導体層22側の第2の表層23Bに対する洗浄液のエッチング速度が、絶縁層23の第1の表層23Aに対するエッチング速度よりも低くなるように絶縁層23を形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1及び第2の主面を有し、前記第1の主面の上にp型及びn型のうちの一方の導電型の半導体からなる第1の半導体層が形成されている半導体基板を用意する工程と、
前記第1の半導体層の一部を覆うように絶縁層を形成する工程と、
エッチング剤を用いて前記第1の半導体層の前記絶縁層により覆われていない部分をエッチングすることにより除去し、前記半導体基板の前記第1の主面の一部を露出させる工程と、
フッ酸を含む洗浄液を用いて前記半導体基板の前記第1の主面を洗浄する工程と、
前記半導体基板の前記第1の主面の露出している部分の上に、p型及びn型のうちの他方の導電型の半導体からなる第2の半導体層を形成する工程と、
前記第1及び第2の半導体層のそれぞれの上に電極を形成する工程と、
を備え、
前記エッチング剤の前記第1の半導体層に対するエッチング速度が、前記絶縁層の前記第1の半導体層とは反対側の第1の表層に対するエッチング速度よりも高く、かつ、前記絶縁層の前記第1の半導体層側の第2の表層に対する前記洗浄液のエッチング速度が、前記絶縁層の前記第1の表層に対するエッチング速度よりも低くなるように前記絶縁層を形成する、太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F151AA05
, 5F151CA15
, 5F151CB21
, 5F151CB27
, 5F151DA04
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151FA15
, 5F151FA16
, 5F151FA18
, 5F151GA04
, 5F151HA03
