特許

J-GLOBAL ID：201203003064609920

スイッチング特性を改善した抵抗スイッチングメモリ素子

発明者： クセ,ロナルド,ジョン ,  ファタク,プラシャント ,  チャン,トニー ,  ミラー,マイケル ,  トン,ジンホン ,  ウー,ウェン ,  ハシム,イムラン
出願人/特許権者： インターモレキュラー,インコーポレーテッド
代理人 (2件)： 高岡 亮一 ,  小田 直
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-504904
公開番号（公開出願番号）：特表2012-523711
出願日： 2010年04月09日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：

スイッチング特性を改善した抵抗スイッチングメモリ素子は、第1の電極および第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間のスイッチング層であって、前記スイッチング層は4電子ボルト(eV)を超える第1のバンドギャップを有する第1の金属酸化物を含み、第1の厚さを有する前記スイッチング層と、前記スイッチング層と前記第2の電極との間のカップリング層であって、前記第1のバンドギャップを超える第2のバンドギャップを有する第2の金属酸化物を含む前記カップリング層であり、前記第1の厚さの25パーセント未満である前記第2の厚さを有する前記カップリング層とを備えるメモリ素子を含むことが記載される。【選択図】図2A

請求項（抜粋）：

第1の電極および第2の電極と、 ハフニウム酸化物を含み、第1の厚さを有する、前記第1の電極と前記第2の電極との間のスイッチング層と、 前記スイッチング層と前記第2の電極との間のカップリング層であって、酸化アルミニウムおよび酸化ジルコニウムから構成されるグループから選択される材料を含む前記カップリング層であり、前記第1の厚さの25パーセント未満である第2の厚さを有する前記カップリング層と を備えることを特徴とする抵抗スイッチングメモリ素子。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (12件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA53 ,  5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 酸化物膜と固体電解質膜を備える抵抗変化メモリ素子およびこれの動作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-158437   出願人：クヮンジュ・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー
• 特願2008-256027
  出願番号：特願2008-256027